介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）是描述材料電學性能的兩個關(guān)鍵參數(shù)，其關(guān)系可通過以下角度理解：

1. 物理定義

?介電常數(shù)?：衡量材料在電場中存儲電荷的能力，定義為介質(zhì)中電場強度與真空中電場強度的比值?。

?介質(zhì)損耗?：表征材料在交變電場中因極化滯后或電導效應轉(zhuǎn)化為熱能的能量損耗，通常用損耗角正切（tanδ）量化?。

2. 核心關(guān)系

?能量分配?：外加電場能量一部分被材料以極化形式存儲（介電常數(shù)體現(xiàn)），另一部分因發(fā)熱損耗（介質(zhì)損耗體現(xiàn)）?。

?復介電常數(shù)?：高頻下介電常數(shù)以復數(shù)形式存在，虛部（ε''）直接反映損耗，實部（ε'）對應儲能能力。

?頻率依賴性?：低頻時極化響應充分，介電常數(shù)較高；高頻下極化滯后加劇，損耗顯著增加?。

3. 工程應用

?材料選擇?：高儲能電容器需高ε、低tanδ；高頻電路基板需低ε、低tanδ以減少信號衰減?。

?測量方法?：通過平行板電容器法或諧振法同步測定ε和tanδ，評估材料性能?